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标识牌制作腐蚀处理工艺流程

返回列表加入收藏加入收藏 来源:标识牌 发布日期:2019-09-02 15:23 浏览:-|

标识牌制作腐蚀处理工艺流程

标识牌制作

晶片脱层操作:

碱洗层:在反应容器中制备20-40%氢氧化钠溶液作为蚀刻溶液,将硅晶片加入碱罐中进行腐蚀,确定根据硅晶片的结深度。腐蚀时间一般为30---120秒。用滤锅捡起硅材料的表面,看它是否明亮,没有杂质。冲洗残留的碱:冲洗漂洗槽中附着在硅片上的残留碱。


超声波超洗:

1、将足够的纯水注入超声波中,以便能够浸没硅片。

2、用纯水沥干10-15千克硅片,倒入清洗槽,打开超声波清洗开关,每10分钟一次转动硅片,避免层压中夹杂物和杂质。清洁20分钟并更换水两次后,关闭超声波清洁开关并排出水箱中的清洁水。

3、再使用高纯度水两次(每次10分钟),每3分钟翻转一次硅片,最后关闭超声波开关,排出清洁水,翻转硅片,并清洗掉清洁水杂质和残留硅片。

4、氢氟酸浸渍:将15%~25%的氢氟酸溶液置于浸渍槽中,将硅晶片浸泡在浸渍槽中5-6分钟,并搅拌硅晶片以避免层压。或使用1:15-20的混合酸约30秒。

5、冲洗残留的酸:冲洗冲洗槽中的硅残留酸。

6、超声波清洗:A。在超声波中注入足够的纯水,以便能够浸没硅晶片。


用纯水清洗10-15千克硅片,倒入清洗槽,打开清洗开关,每10分钟一次转动硅片,避免杂质,层压时不能清洗。超声波时间根据车间的具体规定进行。用高纯水冲洗硅晶片以洗去残留的杂质。用高纯水冲洗,以清除残留硅晶片上的杂质和清洁水。


脱水:用纱布,每次将5-6千克硅片放入脱水器中2分钟。

冲洗:将硅晶片放入冲洗槽中并冲洗并搅拌。

干燥:将硅晶片放置在厚度小于2cm的花篮中,并用塑料棒将硅晶片放空。将烘箱温度调节至115℃并干燥2至4小时。


晶圆浸入操作:

湿法蚀刻工艺:将硅片倒入浸渍槽中,体积不超过浸没槽的2/3。将蚀刻溶液倒入浸泡槽中。蚀刻溶液是氢氟酸的工业纯蚀刻溶液,49-59%。浸泡12小时后,释放酸溶液并冲洗掉硅晶片。


去除金属污染物:准备王水溶液,根据温度变化稀释至30-50%浓度,浸泡12小时,释放酸溶液,冲洗硅片。


二次湿法蚀刻工艺:将硅片倒入浸渍槽中,体积不超过浸没槽的2/3。将蚀刻溶液倒入浸泡槽中。腐蚀溶液比为HF:NH4F=(6-10)工业氢氟酸,浸泡:112小时后,释放酸溶液并冲洗硅晶片。


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